| | Размещая информацию в FISinter, производители одновременно получают
зарегистрированные уникальные идентификаторы своих товаров и услуг для использования в документообороте своих контрагентов. |
Описание продукции/услуги - Транзистор полевой,
представлено в указанной ниже рубрике ФИС.
Войдите в рубрику и ознакомьтесь с подробным описанием, имеющихся марок и модификаций
продукции/услуги - Транзистор полевой.
-
Детали и комплектующие изделия электронной техники
- Транзистор полевой 2П202Д-1
Одинарный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты. - Транзистор полевой 2П202Д1Н
Одинарный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты. - Транзистор полевой 2П202Е-1
Одиночный бескорпусной кремниевый эпитаксиальнопланарный с p-n перехо
дом и каналом n-типа,малошумящий. Для гибридных интегральных микросхем - Транзистор полевой 2П202Е-1 (и-л)
Одинарный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты. - Транзистор полевой 2П202Е1Н
Одинарный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты. - Транзистор полевой 2ПС104А
Кремниевый ионолегированный, эпитаксиально-планарный с p-n переходом и
каналом n-типа, сдвоенный, малошумящий. Для устройств специального на
значения. - Транзистор полевой 2ПС104Б
Кремниевый ионолегированный, эпитаксиально-планарный с p-n переходом и
каналом n-типа, сдвоенный, малошумящий. Для устройств специального
назначения. - Транзистор полевой 2ПС104В
Кремниевый ионолегированный, эпитаксиально-планарный с p-n переходом и
каналом n-типа, сдвоенный, малошумящий. Для устройств специального
назначения. - Транзистор полевой 2ПС104Г
Кремниевый ионолегированный, эпитаксиально-планарный с p-n переходом и
каналом n-типа, сдвоенный, малошумящий. Для устройств специального
назначения. - Транзистор полевой 2ПС104Д
Кремниевый ионолегированный, эпитаксиально-планарный с p-n переходом и
каналом n-типа, сдвоенный, малошумящий. Для устройств специального
назначения. - Транзистор полевой 2ПС104Е
Кремниевый ионолегированный, эпитаксиально-планарный с p-n переходом и
каналом n-типа, сдвоенный, малошумящий. Для устройств специального
назначения. - Транзистор полевой 2ПС202А-1
Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты. - Транзистор полевой 2ПС202А1Н
Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты. - Транзистор полевой 2ПС202Б-1
Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты. - Транзистор полевой 2ПС202Б1Н
Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты. - Транзистор полевой 2ПС202В-1
Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты. - Транзистор полевой 2ПС202В1Н
Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты. - Транзистор полевой 2ПС202Г-1
Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты. - Транзистор полевой 2ПС202Г1Н
Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты. - Транзистор полевой АП325А-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.
Диапазон рабочих температур от -60 до +85*С.
Возможна поставка транзистора в виде чипа. - Транзистор полевой АП326А-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.
Диапазон рабочих температур от -60 до +85*С.
Возможна поставка транзистора в виде чипа. - Транзистор полевой АП328А-2
Транзистор малошумящий двухзатворный предназначен для устройств СВЧ.
Диапазон рабочих температур от -60 до +85*С. Возможна поставка тран-
зистора в виде чипа. Аналог транзистора NE463 (NEC). - Транзистор полевой АП330А-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог тразистора JS8830AS (Toshiba). - Транзистор полевой АП330Б-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора JS8830AS (Toshiba). - Транзистор полевой АП330В-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов NE673, JS830, FRH01FH (Fujitsu). - Транзистор полевой АП330В1-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов NE673, JS830, FRH01FH (Fujitsu). - Транзистор полевой АП330В2-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора FRH01FH (Fujitsu). - Транзистор полевой АП330В3-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора FRH01FH (Fujitsu). - Транзистор полевой АП331А-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора CFY-12. - Транзистор полевой АП339А-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора NE388-06 (NEC). - Транзистор полевой АП343А-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов CFY25-20, CFY25-17 (Siemens). - Транзистор полевой АП343А1-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов CFY25-20, CFY25-17 (Siemens). - Транзистор полевой АП343А2-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов MGF4310, MGF4415. - Транзистор полевой АП343А3-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов MGF4310, MGF4415. - Транзистор полевой АП344А-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов NE72089A, NE76184A (NEC). - Транзистор полевой АП344А1-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов NE72089A, NE76184A (NEC). - Транзистор полевой АП344А2-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов FSC 10, FHC30LG/FA (Fujitsu). - Транзистор полевой АП344А3-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С.Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов FSC 10, FHC30LG/FA (Fujitsu). - Транзистор полевой АП344А4-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Аналог транзисторов FCS 10, FHC30LG/FA
(Fujitsu). Возможна поставка транзистора в виде чипа. - Транзистор полевой АП362А9
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа. - Транзистор полевой АП362Б9
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа. - Транзистор полевой АП379А9
Транзистор малошумящий двухзатворный предназначен для устройств СВЧ.
Диапазон рабочих температур от -60 до +85*С. Возможна поставка тран-
зистора в виде чипа. Аналог транзистора CF 739. - Транзистор полевой АП379Б9
Транзистор малошумящий двухзатворный предназначен для устройств СВЧ.
Диапазон рабочих температур от -60 до +85*С. Возможна поставка тран-
зистора в виде чипа. Аналог транзистора CF 739. - Транзистор полевой АП605А-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора DXL2608A (Dexcel). - Транзистор полевой АП605А1-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора DXL2608A (Dexcel). - Транзистор полевой АП605А2-2
Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора DXL2608A (Dexcel). - Транзистор полевой КП202Д-1
Одиночный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе, с гибкими выводами.
Для аппаратуры широкого применения. - Транзистор полевой КП202Е-1
Одиночный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе, с гибкими выводами.
Для аппаратуры широкого применения. - Транзистор полевой КПС104А
Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе. Для вх каскадов ди
фференциальных усилителей постоянного тока и низкой частоты. - Транзистор полевой КПС104Б
Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе. Для вх каскадов диф
ференциальных усилителей постоянного тока и низкой частоты. - Транзистор полевой КПС104В
Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе. Для вх каскадов диф
ференциальных усилителей постоянного тока и низкой частоты. - Транзистор полевой КПС104Г
Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе. Для вх каскадов диф
ференциальных усилителей постоянного тока и низкой частоты. - Транзистор полевой КПС104Д
Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе. Для вх каскадов диф
ференциальных усилителей постоянного тока и низкой частоты. - Транзистор полевой КПС104Е
Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе. Для вх каскадов диф
ференциальных усилителей постоянного тока и низкой частоты. - Транзистор полевой КПС202А-1
Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе, с гибкими выводами.
Для аппаратуры широкого применения. - Транзистор полевой КПС202Б-1
Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе, с гибкими выводами.
Для аппаратуры широкого применения. - Транзистор полевой КПС202В-1
Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе, с гибкими выводами.
Для аппаратуры широкого применения. - Транзистор полевой КПС202Г-1
Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе, с гибкими выводами.
Для аппаратуры широкого применения.
| |
