Пояснение/аннотация:Вторичных отходов полупроводникового производства с выделением галия и
мышьяка различных марок.
Подробное описание марки:1.Отходы жидкофазной эпитаксии структур, содержащей твердые растворы
на основе AsGa;
2.Отходы процессов синтеза и роста монокристаллов содержащие AsGa;
3.Отходы жидкофазной эпитаксии структур содержащие твердые растворы на
основе AsGa с содержанием фосфора не более 1.5 %.
При переработке последних двух видов отходов одновременно извлекается
мышьяк различных степеней очистки;
Конечными продуктами переработки являются:
1. Галлий технический не подвергаемый переработке и поставляемый заказ
чику без дополнительной очистки;
2.Галлий марки 4N с суммарным содержанием нормируемых элементов на
уровне 0.01 %;
3.Галлий марки 6N с суммарным содержанием нормируемых элементов
не более 0.0001 %;
4.Технический мышьяк не подвергаемый переработке после извлечения и
поставляемый без дополнительной очистки;
5.Мышьяк марки 4N и 6N.
Максимальный объем принимаемых в переработку отходов составляет до 1
0 тонн в год.
Стоимость переработки и расходные коэффициенты определяются видом и
качеством поставляемого сырья.
Технология позволяет производить эффективную очистку галлия при выс
оком содержании германия в исходном материале. |
