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Les détails et les pièces pour la technique électronique

Transistor à effet de champ KPS202V-1

 
Le pays: Russie
 
 le type du fournisseur: le producteur  
 L'information sur le fournisseur  Indicateurs des produits

L'explication/l'anotation:

Doubling siliceous ýïèòàêñèàëüíî-ïëàíàðíûé with pn-junction and channel n-type, low-noise, in glass-and-metal chassis earth with flexible leads. for instrument of wide application.

La description détaillée de marque:

Initial drain current, mitotic activity 0. 35-1. 5 characteristic transconductance, ìÀ/Â, no less than 0. 65 cut-off voltage (negative), in 0. 4-2. 0 gate leakage current, on, not more 1. 0 defferense of gate source voltage, microwave, not more 30. 0 input capacitance, pension fund, not more 6. 0 feedthrough capacitance, pension fund, not more 2. 0 temperature maintenance of defferense of gate source voltage, ìêÂ/ãðàä. With, not more 150. 0

Les conditions de fourniture:

Les prix: pour 07.03.2000 g pour itm Le prix de gross: 3.36 RUR(RUR)
Le prix de détail: 0.00 RUR(RUR)