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Système fédérative d'information sur des biens et services
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Архив подсистемы «Информация производителей продукции»

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Подсистема
Planeta, AOOT
Planeta, AOOT

Russie, 173004, la région de Novgorod, Novgorode, ul.Fedorovsky ruchey, 2/13
Le téléphone(81622)3-19-12, 3-41-58
le téléfax31736ìàðêåòèíã, 33286ñáûò
La forme juridique OC
L'année de fondation 1958
Le siège Web:
L'adresse fédérale Web:www.fisinter.org/117
E-mail (??????????? ?????)root@planeta.nov.su
Le chefZaricky G.V.

La sphère d'activité

Les téléphones des services

 Les coordonnées bancaires

 Les données complémentaires


fournit:
         Les détails et les pièces pour la technique électronique   
         •   Transistor à effet de champ AP325A-2     AP325A-2
         •   Transistor à effet de champ AP326A-2     AP326A-2
         •   Transistor à effet de champ AP328A-2     AP328A-2
         •   Transistor à effet de champ AP330A-2     AP330A-2
         •   Transistor à effet de champ AP330B-2     AP330B-2
         •   Transistor à effet de champ AP330V-2     AP330V-2
         •   Transistor à effet de champ AP330V1-2     AP330V1-2
         •   Transistor à effet de champ AP330V2-2     AP330V2-2
         •   Transistor à effet de champ AP330V3-2     AP330V3-2
         •   Transistor à effet de champ AP331A-2     AP331A-2
         •   Transistor à effet de champ AP339A-2     AP339A-2
         •   Transistor à effet de champ AP343A-2     AP343A-2
         •   Transistor à effet de champ AP343A1-2     AP343A1-2
         •   Transistor à effet de champ AP343A2-2     AP343A2-2
         •   Transistor à effet de champ AP343A3-2     AP343A3-2
         •   Transistor à effet de champ AP344A-2     AP344A-2
         •   Transistor à effet de champ AP344A1-2     AP344A1-2
         •   Transistor à effet de champ AP344A2-2     AP344A2-2
         •   Transistor à effet de champ AP344A3-2     AP344A3-2
         •   Transistor à effet de champ AP344A4-2     AP344A4-2
         •   Transistor à effet de champ AP362A9     AP362A9
         •   Transistor à effet de champ AP362B9     AP362B9
         •   Transistor à effet de champ AP379A9     AP379A9
         •   Transistor à effet de champ AP379B9     AP379B9
         •   Transistor à effet de champ AP605A-2     AP605A-2
         •   Transistor à effet de champ AP605A1-2     AP605A1-2
         •   Transistor à effet de champ AP605A2-2     AP605A2-2
         •   Transistor en silicium GT 346A     GT 346A
         •   Transistor en silicium GT 346B     GT 346B
         •   Transistor en silicium GT 346V     GT 346V
         •   Transistor en silicium KT 209A     KT 209A
         •   Transistor en silicium KT 209B     KT 209B
         •   Transistor en silicium KT 209D     KT 209D
         •   Transistor en silicium KT 209E     KT 209E
         •   Transistor en silicium KT 209G     KT 209G
         •   Transistor en silicium KT 209I     KT 209I
         •   Transistor en silicium KT 209K     KT 209K
         •   Transistor en silicium KT 209L     KT 209L
         •   Transistor en silicium KT 209M     KT 209M
         •   Transistor en silicium KT 209V     KT 209V
         •   Transistor en silicium KT 209ZH     KT 209ZH
         •   Transistor en silicium KT 3169A9, KT 3169A9-1     KT 3169A9, KT 3169A9-1

Les données d'adresse sont ouvertes jusqu'à:31.12.2010

7293/7293/29